定义：当MOS源极和漏极连接到AC接地时，该器件的小信号电流增益降至1的频率称为“瞬态频率”。 （FT）1.长通道器件MOS小信号模型的FT计算如下：2.，MOSFET截止频率FT的影响因素是什么？上面的公式是在长沟槽器件的level1模型下得出的，可以分析其影响。
1）增加过驱动电压（Vgs-VT）可以增加FT2）减小通道长度L将增加FT3）可以增加偏置电流FT（FT与DC偏置电流的平方根成比例）。 4）FT基本上不受S端子和D端子的结电容Cgd的影响。
5）FT随着过驱动（Vgs-VT）的增加而增加，但是随着垂直电场的增加，迁移率变化变慢，并且FT逐渐饱和。以下是NMOS器件的FT，其中W / L =5μm/ 40nmVDS = 0.8V：3.为什么增加MOSFET的频率与增加增益之间存在矛盾？可以看出，本征增益与过驱动电压成反比，上述截止频率与过驱动电压成正比。
可以看出，两者之间存在矛盾，但是两者的乘积就是增益带宽积，增益带宽积仅与信道长度成反比。长沟槽Level1模型的推导也可以显示出减小MOSFET的特征尺寸的好处：。