关于FET,您知道需要了解哪些基本参数吗?

什么是场效应晶体管?场效应晶体管(场效应晶体管缩写(FET))被称为场效应晶体管。

主要有两种类型:结型FET(JFET)和金属氧化物半导体FET(MOS-FET)。

FET的基本参数是什么? (1)FET的基本参数①夹断电压UP也称为截止栅极电压UGS(OFF),用于耗尽结FET或耗尽绝缘栅场中如果管子接地,则漏极-源极输出电流达到零时,可以将其降至所需的栅极-源极电压UGS。

②开路电压UT也称为阀电压,即当漏-源电压UDS为一定值时,可使增强绝缘栅FET的漏和源的最小栅-源电压UGS。

③饱和漏电流IDSS是耗尽型FET在零偏压(即栅源电压UGS为零)且漏源电压UDS大于夹断电压Up时的漏极电流。

④击穿电压BUDS和BUGSa。

漏源击穿电压BUDS。

也称为漏极-源极耐压值,它是场效应管的漏极-源极电压UDS增加到某个值时的最大漏极-源极电压,从而漏极电流ID突然增加并且不受其控制栅极电压。

b。

栅极源极击穿电压BUGS。

它是在场效应管的栅极和源极之间可以承受的最大最高工作电压。

⑤耗散功率PD也称为漏极耗散功率,大约等于漏极-源极电压UDS与漏极电流ID的乘积。

⑥漏电流IGSS是在场效应管的栅极-沟道结上施加反向偏置时产生的反向电流。

⑦DC输入电阻RGS,也称为栅极-源极绝缘电阻,是FET栅极沟道在反向偏置电压下的电阻值,大约等于栅极-源极电压UGS与栅极电流之比。

⑧漏源动态电阻RDS是漏源电压UDS的变化与漏电流ID的变化之比,通常超过几千欧姆。

⑨低频跨导gm也称为放大特性,它是栅极电压UG对漏极电流ID的控制能力,类似于三极管的电流放大因子β值。

electro电极间电容是由场效应管每个电极之间的分布电容形成的杂散电容。

栅极-源极电容(输入电容)CGS和栅极-漏极电容cGD的电容为1〜3pF,漏极-源极电容CDS的电容为0.1〜1pF。

FET 1的主要参数。

导通电压UT(MOSFET)通常指的是刚形成导电通道且漏极电流ID表示为导通电压时的栅极到源极电压,用UGS表示。

(th)或UT。

开启电压UT是MOS增强管的参数。

当栅极至源极电压UGS小于导通电压的绝对值时,FET无法导通。

2.夹断电压UP(JFET)当UDS为固定值(例如10V)并且ID等于某个小电流(例如50mA)时,在栅极和源极之间施加的电压为夹断状态电压。

当UGS = UP时,漏极电流为零。

3.饱和漏极电流IDSS(JFET)饱和漏极电流IDSS是在UGS = 0的情况下预捏开FET时的漏极电流。

IDSS型场效应管可以输出的最大电流。

4.直流输入电阻RGS直流输入电阻RGS是漏极-源极短路,是指从栅极向源极施加电压时栅极和源极之间的直流电阻。

结型FET:RGS》107ΩMOS管:RGS》 109〜1015Ω。

5.跨导Gm漏电流的微变量与栅极-源极电压的微变量之比,即gm =△ID /△UGS。

它是一个参数,用于测量场效应晶体管的栅极-源极电压控制漏极电流的能力。

gm等效于三极管的hFE。

6.最大漏极功耗最大漏极功耗PD = UDSID,等于三极管的PCM。

以上激素场效应管常用参数分析,希望对大家有所帮助。