如图1所示，ITO（In203：SN02 = 9：1），In，O的微观结构，在结合人类sn之后，sn元素可以代替In，O，晶格中的In元素并以形式存在SnO因为In20中的In元素是三价的，所以当形成SnO时，它将向导带贡献〜电子，同时，在某种缺氧状态下产生氧空穴以形成1020至1021cm。
载流子浓度为3，迁移率为10~30 cm 2 / vs.该机制在名为n的10处提供。
低膜电阻率约为cp！l，因此ITO膜具有半导体的导电性。
ITO是一种宽带薄膜材料，带隙为3.5-4.3 ev。
紫外区域中禁带的激发阈值为3.75ev，相当于330nm的波长，因此ITO膜在紫外区域的透光率极低。
同时，近红外区域被载体的等离子体振动现象反射，因此ITO薄膜在近红外区域的透光率也很低，但ITO薄膜在可见光中的透过率从图1中可以看出，光区非常好。
从以上分析可以看出，由于材料本身的特定物理和化学性质，ITO膜在可见光区域具有良好的导电性和高透光率。
磁控溅射是一种在许多工艺中与集成电路工艺技术高度兼容的技术。
它具有连续生产高质量薄膜，低工艺温度的特点，适用于大面积应用。
在基板上，磁控溅射方法是目前最常用的沉积ITO薄膜的技术。
脉冲激光沉积（脉冲激光沉积）固定脉冲频率，准分子激光能量约为40-300mJ，用垂直磁场轰击ITO靶。
在这种方法下的成膜速率低且耗时。
电弧放电离子镀是利用电弧放电等离子体蒸发和电离原料。
通过负偏压驱动基板以加速冲击并减少基板表面上的沉积。
涂层的工作方式。
在沉积过程中，产生颗粒，这导致膜变粗糙并影响涂层的质量。
通过加热气相沉积物体并在接近熔点的高温下使用气相沉积材料的饱和蒸气压来进行反应蒸发。
在真空中，通过电流加热，电子束轰击加热和激光加热将膜材料气相沉积成原子或分子，然后它们以大的自由路径线性移动，与基板表面碰撞形成膜。
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离子束溅射离子束辅助沉积ITO薄膜在太阳能电池，平板显示器，防冻玻璃，气体传感器，节能建筑窗户和航空领域已有50多年的历史。
在航空航天领域，它已被广泛使用。
同时，氧化铟锡透明导电膜已广泛用作电化学活性材料电化学沉积领域的透明电极及其光电性能研究。