2020年9月18日，中国上海-电子元器件和开发服务的全球分销商eLuengeng宣布供应Nexperia最新系列的功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。
这一创新的GaN FET系列体积小，可实现高功率密度和高效率功率转换，可以以较低的成本开发更高效的系统，还可以帮助改善诸如电动汽车，5G通信，和物联网。
随着越来越多的立法增加碳减排要求，必须实现更高效的功率转换和更高的电气化水平。
这一创新的GaN FET系列为设计工程师提供了解决这些问题的有效解决方案。
GaN技术突破了诸如硅基IGBT和SiC之类的现有技术的许多局限性，并可以为各种功率转换应用带来直接和间接的性能优势。
在电动汽车领域，GaN技术可以直接减少功率损耗，从而实现更长的汽车行驶里程。
同时，更有效的功率转换还可以减少散热系统对散热的需求，这有利于减轻车身的重量并降低系统的复杂性，从而可以实现更长的行驶里程，或者使用较小的电池可以达到同样的里程。
功率GaN FET也非常适合数据中心，电信基础设施和工业应用。
GaN FET系列可为各种程序应用提供出色的性能，包括AC-DC图腾柱PFC硬开关应用，LLC相移全桥软开关应用（谐振或固定频率），所有DC-AC逆变器拓扑，主要优点包括：•简单的栅极驱动，低RDS（on）和快速开关•出色的体二极管（低Vf），低反向恢复电荷Qrr•坚固耐用•低动态RDS（on）•稳定的开关性能•Gate Extreme Drive具有很强的抗干扰（Vth〜4 V）eLuomeng的全球半导体和单板计算机总监Farnell和Lee Turner说：以其丰富多样的创新半导体产品而闻名。
World Semiconductor的功率GaN FET系列，以进一步增强客户支持服务。
GaN是高效电源设计领域中的尖端技术。
这次推出的新产品将成为未来创新物联网，汽车和通信设计解决方案的关键组成部分。
为了支持寻求采用GaN FET技术的客户，Farnell和电子柱社区共同组织了一个网络研讨会，并邀请了Ilian Bonov，从Nexperia到“深度分析”的GaN国际产品市场工程师。
这项新技术。
网络研讨会的主题是“使用Nexperia GaN FET设计高效稳定的工业电源”。
它全面介绍了Nexperia级联技术的特性及其在软开关和硬开关拓扑中的应用优势，并共享了一个4kW图腾柱PFC案例研究。
客户可以通过Farnell（欧洲，中东和非洲），Newark（北美）和eLongmen（亚太地区）购买Nexperia的GaN FET系列产品。