根据IGBT的特性，对驱动电路的要求如下：（1）提供适当的正向和反向电压，使IGBT能够可靠地导通和关断。
当正偏置电压增加时，IGBT导通电压降和导通损耗减小，但如果ce太大，则当负载短路时c随着ce的增加而增加，这对其安全性不利。
。
负偏压可以防止IGBT在关断期间由于过大的浪涌电流而导致误导通。
通常，UGE-1V是合适的。
（2）应全面考虑IGBT的开关时间。
快速开启和关闭有助于提高工作频率并减少开关损耗。
但是，在大的感性负载下，IGBT的导通频率不应太大，因为高速断开和关断会产生高峰值电压，并可能导致IGBT本身或其他元件的击穿。
（3）IGBT导通后，驱动电路应提供足够的电压和电流幅度，以防止IGBT因正常饱和和过载而损坏。
（4）IGBT驱动电路中的电阻规则G对工作性能，尺子有很大影响。
更大，有利于抑制IGBT的电流上升速率和电压上升速率，但它会增加IGBT的开关时间和开关损耗20; Rc很小，会导致电流上升速率增加，导致IGBT导通或损坏。
Rc的具体数据与驱动电路的结构和IGBT的容量有关，通常在几欧姆到几十欧姆的范围内，并且小容量IGBT的Rc值大。
（5）驱动电路应具有很强的抗干扰能力和IGBT保护功能。
IGBT的控制，驱动和保护电路应与其高速开关特性相匹配。
此外，如果没有适当的防静电措施，G-E无法打开。
IGBT的驱动条件与其静态和动态特性密切相关。
栅极的正偏置电压+ VGE，负偏置电压-VGE和栅极电阻RG对IGBT的导通状态电压，开关时间，开关损耗，短路能力和dVCE / dt具有不同的影响。
。
栅极驱动条件和器件特性之间的关系如表1所示。
表1栅极驱动条件和器件特性之间的关系1.正偏置+ VGE的影响当VGS增加时，导通电压降低，导通能量降低IGBT的损耗减小，但VGE不能任意增加，因为VGE增加到一定程度。
它对IGBT的负载短路能力和dVCE / dt电流有不利影响。
2，负偏压-VGE的影响负偏压也是一个重要的栅极驱动条件，它直接影响IGBT的可靠运行。
尽管-VGE对关断能量消耗没有显着影响，但偏置电压的增加将显着降低漏极浪涌电流，从而避免过多的漏极浪涌电流导致IGBT的不受控制的负载。
3.栅极电阻RG的影响增加了栅极电阻，这增加了IGBT的功耗。
栅极电阻减小，di / dt增加，这可能导致IGBT误传导和RG上的能量消耗。
也增加了。
因此，通常RG通常需要十到几百欧元。
因此，为了使IGBT安全可靠地导通和关断，其驱动电路必须满足以下条件：1。
由于它是电容输入阻抗，IGBT对栅极电荷累积很敏感，因此有必要确保低阻抗值得放电回路。
2.门电路中的正偏置电压应为+ 12-15V，负偏置电压为-2-10V。
3.驱动电路应与电位的整个控制电路严格隔离。
4.栅极驱动电路应尽可能简单实用，具有IGBT自保护功能，抗干扰能力强。
IGBT驱动电路分为：用于分离叉形和引脚元件的驱动电路;光耦合器驱动电路;厚膜驱动电路;专用的集成块驱动电路1.脉冲变压器用于驱动IGBT电路，如图1所示，电路结构简单。
应用廉价的脉冲变压器将IGBT主电路与控制电路隔离。
脉冲变压器的性能取决于脉冲变压器的生产。
应尽量减小脉冲变压器的漏感，并应使用铁氧体磁芯。
最高工作频率可达40KHz。
2.使用光耦合器和CMOS驱动器的IGBT电路图如图2所示。
电路本身具有过流保护功能。
光耦合器将脉冲控制电路与驱动电路隔离。
4011的四个与非门并行工作以改善驱动器。
功能，互补晶体管V1，V2降低驱动电路阻抗，并通过R1，C1和R2，C2获得不同的正向和反向驱动电压，以满足各种IGBT的栅极驱动电压要求。
由于光耦合器的传输速度，电路的工作频率不能太高。
由于4011 CMOS电路的最大工作电压，+ VGE和-VGE的幅度相互受约束和限制。
3.使用专用的混合集成驱动电路目前，许多生产IGBT器件的外国公司已经引入了IGBT专用驱动电路来解决IGBT驱动器的可靠性问题，例如日本MOTOROLA公司的MPD系列，KT系列日本东芝公司和日本。
富士的EXB系列等具有抗干扰能力强，集成度高，速度快，保护功能完善，可实现IGBT的最佳驱动，但价格普遍昂贵，普通用户难以接受。